纳米结构的可控制备为纳米科技的发展提供器件支撑，气相法可以合成多种材料的各种纳米结构，是纳米组装器件的基础元件。但气相法中纳米结构的可控制备是当前的难点。本人通过控制气相炉中温度、原料及载气等条件调控了反应物的饱和度，以饱和度为调控手段达到控制生长行为的目的。创新之处在于可以较好控制纳米结构的生长行为，在一定程度上可以设计合成所需纳米结构。到目前为止，已经通过此合成思路成功制备了直径可控的ZnO 纳米棒阵列、四角结构、梳状等常见结构及球链结构，In2O3 纳米箭、纳米塔、立方体和八面体等结构，MgO 纳米线、带、管及分级结构。该类氧化物纳米结构在光电器件方面具有重要的应用前景，可以作为复杂纳米器件的元件。该项目投资规模约20 万左右。