本发明涉及一种具有光伏效应的材料。可用于制造太阳能电池和光敏传感器件。本发明提供了一种具有光伏效应的钯掺杂碳薄膜/二氧化硅/硅材料（半导体-氧化物-半导体结构），或者钯掺杂碳薄膜/硅异质结材料。首先，将纯度为99.9%的石墨粉和一定量的纯度为99.9%钯粉混合、冷压获得含有0～5%（原子数含量）的钯元素的钯-石墨复合靶，然后，利用溅射钯-石墨复合靶的方法在抛光的硅基片上沉积一层厚度为20～200 纳米的钯掺杂薄膜。该钯掺杂的碳薄膜/二氧化硅/硅材料，或者钯掺杂碳薄膜/硅异质结材料，具有光生伏特效应，可用于制造太阳能电池和光敏传感器件。该材料制造的太阳能电池具有较高的转换效率（约5%），而且生产工艺简单，成品率高。由于碳材料储量丰富，价格便宜，性质稳定，对人体无毒害，因此本发明具有广阔的应用前景。